СПРАВОЧНИК МОЛОДОГО РАДИСТА
Правила монтажа и эксплуатации
По функциональному назначению транзисторы в радиоэлектронных схемах делят: на двухпереходные биполярные (усилительные, импульсные; малошумящие, высоковольтные, фототранзисторы); полевые (униполярные) с каналом и управляющим затвором в виде p-n-перехода, с встроенным или индуцированным каналом и изолированным затвором Кроме того, транзисторы различают по мощности и частоте.
По максимальной мощности Ркмакс, рассеиваемой коллектором, различают транзисторы малой, средней и большой мощности, а по частоте — на низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные и сверхвысокочастотные.
В настоящее время действует система обозначения транзисторов, состоящая из четырех элементов Первый элемент — буква или цифра, обозначающая материал (Г или 1 — германий или его соединения; К или 2 — кремний или его соединения; А или 3 — соединения галлия); второй элемент — буква, указывающая класс прибора (Т — биполярные транзисторы; П — полевые транзисторы), третий эле-мент — цифра, указывающая назначение и качественные свойства прибора, а также порядковый номер разработки в соответствии с табл. 107; четвертый элемент — буква, означающая разновидность типа (деление на параметрические группы).
Таблица 107
|
Частота транзистора, МГц |
Третий элемент обозначения транзисторов при мощности, Вт, рассеиваемой коллектором |
||
|
малой (До 0,3) |
средней (от 0,3 до 1,5) |
большой (более 1,5) |
|
|
Низкая (до 3) |
101 — 199 |
401 — 499 |
701 — 799 |
|
Средняя (от 3 до 30) |
201 — 299 |
501 — 599 |
801 — 899 |
|
Высокая (от 30 до 300) ] Сверхвысокая (выше 300) |
301 — 399 |
601 — 699 |
901 — 999 |
Примеры обозначений: КТ324А — кремниевый маломощный высокочастотный транзистор, разновидность А; ГТ905Б — германиевый большой мощности высокочастотный транзистор, разновидность Б.
Обозначение транзисторов, разработанных до 1964 г, состоит из трех элементов Первый элемент — буква (транзистор); второй элемент — число, указывающее назначение и качественные свойства, а также порядковый номер разработки транзистора в соответствии с табл. 108, третий элемент — буква, означающая разновидность Типа прибора.
При монтаже транзисторов необходимо соблюдать следующие правила
Крепление транзисторов производят за корпус. Изгиб внешних выводов выполняют не ближе 10 мм от проходного изолятора (если нет других указаний), изгиб жестких выводов мощных транзисторов запрещается.
Пайку выводов осуществляют не ближе 10 мм от корпуса прибора. При этом мощность паяльника должна быть не более 60 Вт, время пайки — не более 3 с, а температура — не выше 200 °С. В процессе монтажа необходимо исключить прохождение тока через транзистор и обеспечить надежный теплоотвод.
Таблица 108
|
Частота транзистора, МГц |
Второй элемент обозначения транзисторов при мощности рассеивания, Вт |
|||
|
германиевых |
кремниевых |
|||
|
до 0,25 (малая) |
более 0,25 (большая) |
до 0,25 (малая) |
более 0,25 (большая) |
|
|
Низкая (до 5) |
1 — 99 |
201 — 299 |
101 — 199 |
301 — 399 |
|
Высокая (более 5) |
401 — 499 |
601 — 699 |
501 — 599 |
701 — 799 |
При эксплуатации транзисторов надо выполнять следующие правила.
Полярность напряжения внешнего источника питания, подключаемого к электродам транзистора, следует выбирать с учетом структуры транзистора и его рабочей схемы. При подключении транзистора к источнику питания первым присоединяют вывод базы, последним — вывод коллектора, а при отключении — в обратном порядке. Запрещается подавать напряжение на транзистор с отключенной базой.
Для увеличения надежности и долговечности приборов рабочие надряжечия, гоки, мощность и температуру необходимо выбирать меньше предельно допустимых (около 0,7 их значений). Не разрешается использовать транзисторы в совмещенных предельных режимах хотя бы по двум параметрам (например, по току и напряжению).
С целью защиты транзисторов от перенапряжений в их схемы включают стабилизирующие, демпфирующие и ограничивающие диоды.
Недопустима проверка схем на полупроводниковых приборах омметрами или другими приборами, могущими создавать перегрузки для диодов, транзисторов.
