К полупроводниковым резисторам относят терморезисторы, болометры, позисторы, варисторы и фоторезисторы.
Терморезисторы. Они представляют собой полупроводниковые тепловые приборы с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления ТКС (кривая I, рис. 21, а). При увеличении температуры возникает термогенерация носителей заряда в материале полупроводника, вследствие чего снижается электрическое сопротивление терморезистора ТР. Различают ТР, реагирующие на изменение температур окружающей среды и на нагрев, вызванный проходящим через них током. Свойства ТР первой группы определяются температурной характеристикой Rr=Ф(t°), выражающей зависимость сопротивления прибора от температуры окружающей среды (кривая 2). Сврйства ТР второй группы оценивают по вольтампер-ной характеристике U=ф(I), которая .отражает его нагрев проходящим током и определяет нелинейные свойства прибора (рис. 21,6).
Параметрами терморезисторов являются:
сопротивление (ом) Rт при температуре 20 °С; а? — температурный коэффициент сопротивления, выражающий в процентах изменение сопротивления прибора при изменении температуры,на 1 °С (кривая 1 на рис. 21,а);
мощность рассеивания Pтi при которой температура не превышает допустимой;
постоянная времени т, характеризующая тепловую инерционность терморезистора ТР (т=Ст/Рр, где Ст — теплоемкость, представляющая энергию, необходимую для нагрева ТР на 1 °С, Вт*с/°С; РР — коэффициент рассеивания, т. е. мощность, рассеиваемая ТР при разности температур между ним и средой в 1 °С, Вт/°С).
Рис. 21. Характеристики терморезисторов:
а — изменения температурного коэффициента и сопротивления, б — вольтамперная
Обозначение терморезисторов состоит из трех-четырех элементов, например, СП-21, СТ2-26, СТЗ-27, СТ4-15 и др. Буквы первого элемента СТ означают термочувствительное сопротивление, цифры второго элемента характеризуют тип используемого полупроводникового материала (1 — кобальто-марганцевый, 2 — медно-марганце-вый, 3 — медно-кобальто-марганцевые, 4 — кобальто-никелево-мар-ганцевые), третьего элемента — код конструкции, буквы четвертого элемента обозначают код интервала рабочих температур (эти буквы можно и не ставить).
Тип |
Номинальное сопротивление, кОм |
Температурный коэффициент сопротивления, %/°с |
Номинальная мощность, кВт |
Габаритные размеры (без выводов), мм |
Масса, г |
Способ подогрева |
Терморезисторы |
|
|
||||
СТ1-17 |
0,3 — 22 |
4 — 7 |
500 |
— |
0,2 |
Прямой |
СП- 19 |
3,3 4,7; 6,8; 10; 100; 150; 1500; 2200 |
2,3 — 4 |
60 |
— |
0,3 |
» |
СТЗ- 19 |
2,2; 10; 15 |
3,4 — 4,5 |
45 |
04X2,5 |
0,3 |
» |
СТЗ-21 |
0,68; 1; 1,5; 10, 15 |
3 — 4,1 |
60 |
9,5X48 |
2,8 |
Косвен- ный |
СТЗ-25 |
1,5; 2,2; 3,3 |
3 — 3,75 |
8 |
049X33 |
2,5 |
Прямой |
КМТ-1 |
22 — 1000 |
4,2 — 8,4 |
1000 |
3X13 |
|
— |
ММТ-9 |
0,01 — 4,7 |
2,4 — 4 |
2 |
019X3 |
3,4 |
— |
Т8С1М |
0,15 |
1 — 5,8 |
24 |
— |
— |
Прямой |
Позисторы |
||||||
СТ6-1А |
0,04 — 0,4 |
10 |
1100 |
05X2,5 |
— |
— |
СТ6-1Б |
0,1 — 0,7 |
15 |
800 |
05X2,5 |
— |
— |
СТ6-ЗБ |
1 — 10 |
15 |
200 |
02X2 |
__ |
__ |
СТ6-4Б |
0,1 — 0,4 |
15 |
800 |
07X5 |
— |
— |
Номинальное классификационное напряжение, В |
Максимально допустимое импульсное напряжение, кВ |
Коэффициент нелинейности |
Номинальное классификационное напряжение, В |
Максимально допу стимое импульсное напряжение, кВ |
Коэффициент нелинейности |
Стержневые варисторы |
Дисковые варисторы |
||||
СН1-1-1 (09X19 мм) Iкл = 10 мА; Рном = 1 Вт |
СН1-2-1 (016X8 мм) Iкл = 8 мА; Рном = 1 Вт |
||||
560 |
1,2 |
3,5 |
56 |
180 |
3,5 |
680 |
1,3 |
4 |
68 |
210 |
3,5 |
820 |
1,4 |
4 |
82 |
250 |
3.5 |
1000 |
1,5 |
4 |
100 |
300 |
3,5 |
1200 |
1,6 |
4 |
120 |
360 |
3,5 |
1300 |
1,7 |
4,5 |
150 |
450 |
3,5 |
1500 |
2,0 |
4,5 |
180 |
550 |
3,5 |
|
220 |
650 |
3,5 |
||
СН1-1-2 (07X16 мм) Iкл = 10 мА; РНОм=0,8 Вт |
270 |
800 |
3,5 |
||
560 |
1,2 |
3,5 |
СН 1-2-2 (012X7 мм) Iкл = 3 мА; Л,ом = 1 Вт |
||
680 |
1,3 |
4,0 |
|||
1300 |
1,7 |
4,5 |
|
|
|
|
|
|
15 |
60 |
3 |
СН1-6 (035X9 мм) Iкл = |
18 |
70 |
3 |
||
= 20 мА; РНОм=2,5 Вт |
22 |
80 |
3 |
||
33 |
0,15 |
4,0 |
27 |
90 |
3 |
|
|
|
39 |
ПО |
3 |
СН1-8 (013X120) Iкл = |
47 |
120 |
3,5 |
||
= 50 мкА; Рвом =2 Вт |
56 |
150 |
3,5 |
||
20000 |
30 |
6 |
68 |
170 |
3,5 |
25000 |
30 |
6 |
|
|
|
|
|
|
СН1-10 (040X10 мм) Iкл = 10 мА; Рном = 3 Вт |
||
СН 1-8-20 Iкл =0,05 мА; |
|||||
Рвом =6 ВТ |
15 |
75 |
3,2 |
||
20000 |
30000 |
6 — 10 |
18 |
90 |
3,2 |
|
|
|
27 |
135 |
3,2 |
СН 1-8-25 Iкл = 0,05 мА; |
33 |
165 |
3,2 |
||
Рвом = 2 Вт |
|
|
|
||
|
|
39 |
195 |
3,2 |
|
25000 |
30000 |
6 — 10 |
47 |
235 |
3,2 |
Фоторезистор |
Рабочее напряжение, В |
Мощность рас-сеивания, Вт |
Темчовое сопротивление, МОм |
Темновой ток, мкА |
Световой ток, мА |
Кратность изменения сопротивления |
Удельная чувствительность, мА/(лм-В) |
Интегральная чувствительность, мкА/лм |
СФ2-1 |
15 |
10 |
15 |
0,5 |
1 |
500 |
400 |
10 |
СФ2-2 |
2 |
50 |
v2 |
0,5 |
1,5 |
500 |
75 |
0,36 |
СФ2-8 |
100 |
125 |
100 |
— |
1 |
1000 |
— |
— |
СФ2-16 |
10 |
10 |
3,3 |
— |
0,3 |
100 |
— |
— |
СФЗ-1 |
15 |
10 |
30 |
0,01 |
1,5 |
1500 |
600 |
20 |
СФЗ-2 |
5 |
100 |
5 |
0,5 |
2 |
500 |
80 |
— |
СФЗ-5 |
2 |
50 |
2 |
— |
0,5 |
500 |
— |
— |
СФЗ-8 |
20 |
50 |
20 |
— |
0,5 |
500 |
— |
— |
ФСК-1 |
50 |
125 |
3,3 |
5 |
2 |
100 |
7 |
2,8 |
ФСК-2 |
100 |
125 |
3,3 |
10 |
1 |
20 |
1,6 |
0,5 |
ФСД-1 |
20 |
50 |
2 |
1 |
3 |
150 |
30 |
15 |
ФСА-1 |
100 |
10 |
0,02 |
— |
— |
1,2 |
500 |
— |
ФСА-12 |
40 |
10 |
0,05 |
— |
— - |
1,2 |
500 |
— |